Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe
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Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe

Garantie 5 ans

Points Forts du produit
  • Performances très élevées : Le Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe offre des vitesses de lecture et d'écriture séquentielles incroyables, ce qui le rend idéal pour les jeux, la création de contenu et d'autres tâches exigeantes.
  • Efficacité énergétique : Le Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe est jusqu'à 70% plus économe en énergie que le modèle précédent, ce qui le rend idéal pour les ordinateurs portables et autres appareils portables.
  • Fiabilité : Le Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe est doté d'une endurance jusqu'à 2 000 TBW, ce qui signifie qu'il peut supporter des années d'utilisation intensive.
  • Garantie 5 ans : Le Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe est assorti d'une garantie de 5 ans, ce qui vous garantit une tranquillité d'esprit.

Du 1er au 31 mai 2024, profitez d'une remise immédiate allant jusqu'à -180 € TTC sur ce produit et autres produits éligibles. Réduction appliquée sur le prix affiché. Offre valable dans la limite des stocks disponibles.



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Description

Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe

Dans la boîte
  • 1 x Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe

Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1TB PCIe

Le Samsung SSD 990 EVO NVMe M.2 1 To PCIe est un disque dur à état solide (SSD) haute performance qui utilise l'interface PCI Express 4.0 et le protocole NVMe pour offrir des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu'à 5 000 Mo/s et des vitesses d'écriture séquentielle allant jusqu'à 4 200 Mo/s. Il est également conçu pour être économe en énergie, avec des performances par watt améliorées de 70 % par rapport à la génération précédente 970 EVO Plus. Le disque est disponible dans les capacités suivantes : 250 Go, 500 Go, 1 To et 2 To.

Fiche technique

Interface : PCI Express 4.0 x4, NVMe 2.0

Format : M.2 2280

Capacité : 1 To

Vitesses de lecture séquentielle : Jusqu'à 5 000 Mo/s

Vitesses d'écriture séquentielle : Jusqu'à 4 200 Mo/s

IOPS lecture aléatoire : Jusqu'à 700 000

IOPS écriture aléatoire : Jusqu'à 800 000

Endurance : Jusqu'à 2 000 TBW (Terabytes Written)

Mémoire cache : 1 Go LPDDR4

Consommation d'énergie : Jusqu'à 5,4 W (actif), 0,28 W (veille)

Facteur de forme : M.2 2280

Poids : 9 grammes

Garantie : 5 ans

Caractéristiques
MZ-V9E1T0BW
8806095300276
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